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元件参数资料
>
参数目录38700
> IRF5806 MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
型号:
IRF5806
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF5806 PDF
标准包装
100
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
86 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
594pF @ 15V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
供应商设备封装
Micro6?(TSOP-6)
包装
管件
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